JX-MSB 溅射/偏压多功能电源：对标霍廷格 4020，阻抗匹配比 1:9
在 PVD 镀膜和等离子体工艺中，电源的稳定性与控制精度直接影响膜层质量。精新电源推出的 JX-MSB 单极脉冲磁控溅射/偏压多功能镀膜电源，一台设备可在溅射模式与偏压模式之间切换，可对标德国霍廷格（TRUMPF Hüttinger）4020 系列。
一、主要特点
1. 负载阻抗匹配比 1:9
阻抗匹配范围越宽，电源越能在工艺变化（靶材、气压、反应气体、靶面状态）时保持在合适的工作区间。JX-MSB 的阻抗匹配比为 1:9。
2. 恒功率特性与载荷能力
在最佳工作区内提供宽广的电压、电流选择范围，可匹配多种靶材与工艺。
3. 弧管理：标称拉弧能量 <0.2 mJ/kW
采用精新自主研发的微分弧检测、本质弧抑制与四象限弧能量释放管理技术，在电弧发展初期检测并处理，降低工件的弧损伤风险。
4. 多机同步
多台 JX-MSB 之间、JX-MSB 与精新 HiPIMS 电源之间可以实现时序同步，用于 HiPIMS 同步偏压等工艺。
二、两种工作模式
溅射模式（恒流/恒功率）：驱动磁控靶进行薄膜沉积；
偏压模式（恒压）：用于等离子清洗、离子刻蚀、膜层致密化，以及与 HiPIMS 配合的同步脉冲偏压。
JX-MSB 主要参数（产品页标称）
负脉冲平均功率 20/30/40 kW 多型号，正脉冲 3.5 kW；输出电压 +(1～120) V、−(50～1000) V；输出波形：负/正向直流、负/正向单极脉冲、非对称双极脉冲；最高频率 150 kHz，占空比 5%～95%；溅射/偏压双模式；MTBF ≥100000 h；RS-485/以太网，Modbus（标配）。
三、研发背景
精新电源有十余年粒子加速器电源研发经验，曾为正负电子对撞机（中科院高能物理研究所）、重离子加速器（中科院近代物理研究所）、第三代同步光源（中科院上海应用物理研究所）等大科学装置提供电源，并将其中积累的高稳定度、高精度设计经验用于工业 PVD 电源。